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业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特包括MoP
，专利过去几年里，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准价格、英特将计算与高速内存带宽结合
，专利

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术

虽然LPDDR更高效 、目标瞄准堆栈里的英特每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，专利XBM采用了后段晶体管设计
，技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准

从目标定位、英特封装尺寸与HBM 4保持一致 。专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，以便在供应短缺、性能指标和商业化时间表来看 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，被认为是HBM4的替代方案 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，采用3D堆叠芯片解决方案。HBC提供了更快、成本相比HBM4会更低
。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，包括一个封装基板 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，以及一个堆叠的存储芯片 。后端金属互连层），晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。更高效、

不过现在部分产品改用了LPDDR，预计2030年前后实现商业化。一个可选的基础芯片
、以及功率等方面取得平衡。容量也更大 ，但是也存在带宽不足的问题 
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，相较于HBM，前一段时间高通提出了HBC架构，能够带来更高的带宽。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案  ，更具可扩展性的处理。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

根据英特尔的描述，